近日，两大国家技术创新中心接连落地、落户。国家集成电路设计自动化技术创新中心获批落地南京江北新区；国家第三代半导体技术创新中心落户深圳龙岗。

2020年4月，科技部、财政部印发《关于推进国家技术创新中心建设的总体方案（暂行）》的通知，指出国家技术创新中心定位于实现从科学到技术的转化，促进重大基础研究成果产业化。中心以关键技术研发为核心使命，产学研协同推动科技成果转移转化与产业化，为区域和产业发展提供源头技术供给，为科技型中小企业孵化、培育和发展提供创新服务，为支撑产业向中高端迈进、实现高质量发展发挥战略引领作用。

国家集成电路设计自动化技术创新中心

集成电路设计自动化（简称EDA)，是支撑集成电路产业的基础，发展国产EDA技术和产业，对保障我国集成电路产业从跟随迈向自主发展具有重要战略意义。

2022年12月30日，科技部正式批复同意国家集成电路设计自动化技术创新中心在南京建设；今年1月28日，南京市举行“全市推动高质量发展 争当示范引领动员会”，并发布了国家集成电路设计自动化技术创新中心（以下简称“EDA国创中心”）建设愿景。

EDA国创中心以东南大学作为牵头建设单位，由原国家专用集成电路系统工程技术研究中心转建，与南京江北新区联合打造并落地新区，国内EDA龙头企业、集成电路制造和设计等上下游企业、北京大学、西安电子科技大学等高校共同参与建设。

EDA国创中心有四个方面建设愿景，具体包括：汇聚优势资源，构建企业主导、产学研深度融合的新型举国科技攻关体制；创新体制机制，推动创新链—产业链—资金链—人才链深度融合；开展核心技术攻关，引领我国EDA产业自主可控发展；建设人才培养体系，推动我国EDA产业创新能力整体跃升。

国家第三代半导体技术创新中心

第三代半导体可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，是支撑新能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，已经成为近年行业的重点研究方向之一。

1月29日，深圳市龙岗区平湖街道挂牌一宗普通工业用地，宗地号为G05701-0090，土地总面积为86714.75平方米，建筑面积为105000平方米。本宗地的挂牌起始价2920万元，土地使用年限为30年，将于2月27日正式出让。本宗地的土地用途为普通工业用地，宗地产业准入行业为C3972半导体分立器件制造，宗地位于平湖街道新厦大道33号，将用于建设国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台。

2021年深圳市政府工作报告提出建设具有全球影响力的科技和产业创新高地，出台落实创新发展“五大行动”实施方案，加快“国家第三代半导体技术创新中心”等重大创新平台建设。

据悉，深圳“国字号”创新平台——国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建设项目预计于今年开工，项目总投资33.5亿元，计划2025年建成。根据此前公示信息，该项目将以建成国际领先的开放共享研发平台为目标，联合本土设计力量精准服务产业需求，为研发机构及企业提供良好的共享研发试验平台，突破第三代半导体核心材料、芯片、装备及应用技术，形成全链条全体系持续创新供给和配套能力，助力企业的研发及技术进步，提升第三代半导体总体技术水平。