产品介绍

随着超大规模集成电路工艺的不断升级，尤其在130nm及更先进的技术中，需要引入低介电常数材料，降低寄生电容，来提高逻辑电路的操作速度。八甲基环四硅氧烷是低温化学气相沉积制备高质量低介电常数（低k）金属层间介质薄膜的重要硅源前驱体。

产品特点

用于光纤预制棒和集成电路制造的有机硅原料必须达到6N甚至9N以上，而一般商业化的八甲基环四硅氧烷通过普通提纯后含量只有99%，且含有杂质重金属离子，会对光纤预制棒和集成电路材料的制造造成严重影响，重金属离子去除困难是造成该材料依赖进口的主要原因。

产品指标：组分纯度：≥99.99%，总杂质≤5ppb；水≤5μg/g；Cl＜2ppm，颗粒度（≥0.2μm）≤10 pcs/ml

洛阳中硅高科技有限公司

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