产品介绍

用于集成电路铜互连工艺制程中阻挡层的去除和平坦化。

产品特点

产品具有优异的抗铜腐蚀的能力，可调的介电材料包括低介电材料和超低介电材料去除速率的能力, 抛光后晶圆表面平坦，缺陷少。产品已在逻辑芯片130-14nm技术节点以及3D NAND和DRAM芯片上量产使用。

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