产品介绍

主要用于晶体管的硅栅电极中栅极氧化层上的多晶硅层的高选择性去除，而不破坏栅极氧化层。

产品特点

性能指标于国际先进水平媲美。产品可达到以下标准：多晶硅无残留，多晶硅/二氧化硅蚀刻选择比≥100：1，浓度精准度±0.1%，金属杂质≤20ppb，颗粒(≥0.1μm)≤100个/ml

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