产品介绍

硅外延片是半导体分立元件的基础材料，也是CMOS电路的基础原材料。四氯化硅作为优良的低温硅淀积的源材料，是广泛应用于半导体器件的关键原料。硅外延片的电学参数，主要决定于四氯化硅的质量和掺杂量，而四氯化硅的纯度直接影响到硅外延片的质量。硅外延片的质量优劣，直接影响到半导体元器件的成品率和其他质量参数。此外，电子级四氯化硅还可以应用于12英寸芯片干法刻蚀工序中机台腔体的涂层，防止刻蚀机台腔体金属污染晶圆。因此电子级四氯化硅的质量要求很高，国内电子级四氯化硅基本依赖进口。

产品特点

与传统的工业气体相比，电子气体特殊在气体的纯净度要求极高，尤其是电子级四氯化硅，由于其主要用于半导体薄膜沉积环节，最终通过碳化硅、氮化硅薄膜的形式保留在芯片上，因此其纯度要求十分严格。产品中微量氧和水分有害杂质，使半导体产品表面生成氧化膜，它是影响器件寿命的重要因素。气体中含碳化合物（如一氧化碳、二氧化碳和碳氢化合物等）的碳，是造成半导体漏电的原因之一。气体中尘埃粒子和金属微粒子，使半导体产生漏电、耐压不良、表面克密度不变、晶格缺陷和断线的主要原因。因此，电子级四氯化硅的生产有着很高的技术门槛，对金属杂质、碳氢化合物杂质及颗粒度有着严苛的要求。具体指标如下：

（1）SiCl4≥99.99%，SiCl3CH3≤0.01ppm

（2）B+Al≤0.10ppbw，P+As≤0.30ppbw

（3）颗粒物（＞0.2μm）≤5个/ml

洛阳中硅高科技有限公司

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