产品介绍

电子级TEOS主要用于IC晶圆制造过程中的化学气相沉积（CVD）制程，生成二氧化硅隔离层以及金属层间介质薄膜，用量相对较大，是半导体集成电路、分立器件、微机电系统（MEMS）制造所需的电子化学品

产品特点

电子级TEOS对质量要求极高，纯度需8N以上，各项杂质需小于1个ppb，尤其是金属离子杂质（Na、K、Mg、Fe、Ca、Al等），金属离子是电活性杂质，会降低沉积在半导体器件二氧化硅薄膜层绝缘性能，会导致微米级的电路互相联通，从而导致电路板报废。其中的非电活性杂质，如水分、有机物会影响沉积的膜层均匀和平整性。

产品指标：纯度≥99.999%，杂质总和≤1ppb，Al≤0.3ppb,钴≤0.3ppb，铁≤0.5ppb，锰≤0.3ppb，镍≤0.3ppb；氯含量≤0.1μg/g，水＜5μg/g，颗粒度（≥0.2μm）≤10 pcs/ml。

洛阳中硅高科技有限公司

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