极紫外光刻机（EUV）目前是先进半导体制程中，不论是DRAM或晶圆代工生产过程中，进一步提升效能的关键之一。而目前荷兰商ASML则是全球唯一量产EUV光刻机的厂商，包括台积电、三星、英特尔的先进制程都要依赖EUV光刻机来生产。现阶段，每台光刻机的单价将近1.5亿美元。不过，ASML的EUV光刻机目前出货的是使用光源波长在13.5nm左右的第一代产品，其物镜的NA数孔径是0.33。根据ASML表示，第2代的EUV光刻机目前已经进入开发阶段。

据了解，首代EUV光刻机量产的型号为NXE：3400B，其产能为每小时125PWH。至于，目前ASML的出货主力是NXE：3400C，产能提升到135WPH。另外，预计2021年底还有NXE：3600D系列产品将推出，产能再进一步提升到160WPH。只不过，届时的出货价格也会提升到1.45亿美元左右。

为了提升生产效率，ASML准备推出的第2代EUV光刻机型号将会是NXE：5000系列，其物镜的NA值将提升到0.55，进一步提高曝光的精度。然而，NA值0.55的第2代EUV光刻机在当前研发阶段遭遇了瓶颈，使得原本预计最快2023年问世的时程，传出可能将延后到2025-2026年才有可能问世，等于一举延后了近3年的时间，这也使得市场人士担心将影响到整体半导体制程的研发状况。

只是，对于ASML在第2代EUV光刻机可能遭遇研发瓶颈，因此将延后问世的情况，如今有来了神队友的救援。外媒报道指出，日本最大半导体镀膜极蚀刻设备公司东京电子（东京威力科创TokyoElectron）宣布，将于镀膜/显影技术上与ASML合作，以联合发展下一代EUV光刻机的研发生产，以维持原本2023年问世的期程。另外，除了东京电子之外，比利时微电子研究中心（IMEC）也是参与合作的伙伴。

报道表示，东京电子指出，藉旋金属抗蚀剂以显示出高解析度和高蚀刻电阻，有望使图案更加精细。然而，含有金属的抗蚀剂需要对复杂的图案尺寸进行控制，以及对芯片背面/斜面金属污染的较好掌握。因此，为了应对这些挑战，涂层/开发人员正在联合高NA实验室来安装先进的制程模组，以其能够处理含金属的抗蚀剂。

事实上，采用0.55NA值的第2代EUV光刻机比第一代采0.33NA值的EUV光刻机有着许多优势，包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。有消息指出，目前ASML已经出货的NXE：3400B/3400C系列光刻机，乃至2021年底问世的3600D系列光刻机都会称为首代的EUV光刻机，因为其物镜的NA都为0.33。而所谓第2代即是NA提升至0.55的系列产品。至于，因为效能的提升，势必也将使得第2代EUV光刻机的造价大幅上扬，届时所生产出来的芯片价格也将水涨船高情况下，相关产品售价不会亲民也会是想当然尔的事。